В 2040-х годах количество транзисторов на микросхемах увеличится кратно

СИРИУС /федеральная территория/, 29 сентября. /ТАСС/. Количество транзисторов на один квадратный миллиметр на микросхемах в 2040-х годах увеличится до 2,1-2,15 млрд, что в несколько раз превосходит нынешние показатели. Об этом на российском форуме "Микроэлектроника 2026" сообщил президент РАН, академик Геннадий Красников.

Говоря о плотности транзисторов на современных микросхемах, президент РАН напомнил, что сейчас это почти 400 млн компонентов на один квадратный миллиметр.

"Планируется в 2040-х годах почти 2,1-2,15 млрд на один квадратный миллиметр - количество транзисторов на современных интегральных микросхемах, - сказал Красников. - [Это] позволит на той же площади, где у нас 100 миллиметров, уже размещать 7 трлн транзисторов. Это колоссальное количество, которое позволит нам реализовывать многие вещи совершенно по-другому".

Российский форум "Микроэлектроника 2026" проходит с 27 сентября по 3 октября в научно-технологическом университете "Сириус". Форум с 2015 года служит ключевой российской коммуникационной площадкой для встречи представителей науки, государства и бизнеса с целью обмена знаниями, развития межотраслевых научно-практических и производственных связей и формирования совместных ответов на новые вызовы, укрепляющих технологический суверенитет России.

Как отмечают организаторы, ключевая задача форума - найти решения для трансформации отрасли микроэлектроники от импортозамещения к серийному масштабированию производства и достижению технологического лидерства РФ в области электронно-компонентной базы. Участие в форуме специалистов различных отраслей промышленности способствует установлению полноценного диалога между разработчиками электронной компонентной базы и производителями готовой продукции, что напрямую способствует активному развитию цифровой экономики России.